- 투과전자현미경은 전자가 시료에 입사되어 상호작용을 한 후 시료를 통과하여 투과빔과 회절빔이 나올 때, 빔의 특정부분을 이용하여 명시야상(bright field image), 암시야상(dark field image), 회절도형(diffraction pattern)등을 얻을 수 있는 장비이다. 이것은 약 150만 배율까지의 고배율 영상을 얻어 시편의 미시구조를 직접 볼 수 있으며 일반적인 결정 결함구조를 관찰하는데 유용하다. 중앙부분의 투과된 빔과 회절된 빔을 함께 사용하여 얻어지는 고분해능상을 이용하여 격자결함 주위의 원자배열을 밝혀낼 수 있다. 회절도형은 결정구조에 따라서 일정하게 배열된 점이나 환모양의 띠로 나타난다. 이를 분석하면 시료의 결정적인 정보를 얻을 수 있다. DP(회절상)로서 결정의 격자 상수와 대칭성 등을 규명할 수 있고, EDS(에너지 분산 X-선 분석)로 원자의 종류와 양을 분석할 수 있다.

- Electron gun : ZrO/W(100) Schottky emitter
- Acceleratin voltage range : 50 ~300kV
- Point resolution : 0.2nm better
- Infmaion limit : 0.14nm better

- BE/DF/SADP/CBED
- EDS
- Semiconduct, Polymer, Cell